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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P20TM
onsemi
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1 | RoHS compliant; 100% avalanche tested; -7.3A, -200V, RDS(on) = 690mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -3.65A; Low gate charge ( Typ. 19nC); Low Crss ( Typ. 25pF) | Other | FQB7P20TM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P20TM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQB7P20TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB7P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB7P20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P20TM_F085
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQB7P20TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB7P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P06TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 7A, 60V, 0.41ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB7P06TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB7P06TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB7P06TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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