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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20TM-SB82153
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQD4N20TM-SB82153 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25TM-WS
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 250 V, 3 A, 1.75 Ω, DPAK, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | FQD4N25TM-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25TM_WS
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 250V, 3A, 1.75Ω, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FQD4N25TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25TM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FQD4N25TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20TM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50TM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQD4N50TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50TF
Rochester Electronics LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQD4N50TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50TM
Rochester Electronics LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQD4N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50TM-AM002
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | FQD4N50TM-AM002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD4N25TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N25TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD4N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD4N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N50TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD4N50TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD4N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||