Showing 22 of 22 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQD9N25TM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD9N25TM_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N25 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM-SBEK002
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD9N25TM-SBEK002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM-F080
onsemi
|
1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 250 V, 7.4 A, 420 mΩ, DPAK, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | FQD9N25TM-F080 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM_F080
onsemi
|
1 | N-Channel QFET® MOSFET 250V, 7.4A, 420mΩ, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FQD9N25TM_F080 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM_F080
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB | FQD9N25TM_F080 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM_F085
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD9N25TM_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N25TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N25TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TM-F085
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD9N25TM-F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N25TF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N08LTM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N15TF
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N15TF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08TM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N08TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N08L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08TF
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N08TF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N25TF
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7.4A, 250V, 0.42ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD9N25TF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08TM
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7.4A, 80V, 0.21ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD9N08TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N15TM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N15TM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N08 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N15
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N15 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQD9N08LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD9N08LTF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||