Showing 25 of 30 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQI5N60CTU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 4.5A, 600V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, LEAD FREE, I2PAK-3 | FQI5N60CTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQI5N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQI5N50C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N90
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N90 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N60CTU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N60CTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N60C
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQI5N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N60CTU
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N60CTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N40TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N40TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N15TU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 5.4A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 | FQI5N15TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N20LTU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N20LTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N80
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 800V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N50
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N15TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N15TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N90TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N90TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N20
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N20 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N30TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N30TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N80TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 800V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N80TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N30
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N20TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N20TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N30TU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 5.4A, 300V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 | FQI5N30TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N40
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N50CTU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 5A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, I2PAK-3 | FQI5N50CTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N80TU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 4.8A, 800V, 2.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 | FQI5N80TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N60TU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N60TU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQI5N15
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | FQI5N15 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||