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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20TSTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N20TSTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20L
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 200V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP10N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N20_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20LJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP10N20LJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N60C
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.5A, 600V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP10N60C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N60C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N60C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP10N20J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N20C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N60C-F080
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP10N60C-F080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N60CF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N60CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N20C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N50CF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP10N50CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N20CTSTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP10N20CTSTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP10N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F30R9
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 30.9ohm, 350V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10F30R9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F3R32
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 3.32ohm, 350V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10F3R32 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F3R40
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 3.4ohm, 350V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10F3R40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10J910
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 91ohm, 350V, 5% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10J910 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F80R6
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 80.6ohm, 350V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10F80R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F2R43
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 2.43ohm, 350V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10F2R43 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F10R2
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 10.2ohm, 350V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel | FQP10F10R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP10F18R7
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 18.7ohm, 350V, 1% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | FQP10F18R7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||