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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP2N60C
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel QFET MOSFET 800V, 2.4A, 6.3Ω | Transistor Outline, Vertical | FQP2N60C |
3
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FQP2N90
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N90 |
0
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FQP2N80
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N80 |
0
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FQP2N40-F080
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 400 V, 1.8 A, 5.8 Ω, TO-220, TO-220 3L, 1000-TUBE | FQP2N40-F080 |
0
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FQP2N40_F080
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET, TO-220 3L, 8000-RAIL | FQP2N40_F080 |
0
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FQP2N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N50C |
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FQP2N90_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N90_NL |
0
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FQP2N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N80 |
0
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FQP2N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N90 |
0
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FQP2N80-Q
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP2N80-Q |
0
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FQP2N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N60C |
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FQP2N40_F080
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N40_F080 |
0
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FQP2N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N30 |
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FQP2N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N50 |
0
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FQP2N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N60 |
0
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FQP2N30J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N30J69Z |
0
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FQP2N50
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.1A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP2N50 |
0
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FQP2NA90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 900V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2NA90 |
0
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FQP2N60J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N60J69Z |
0
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FQP2N80J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP2N80J69Z |
0
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FQP2N50J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP2N50J69Z |
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FQP2NA90J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 900V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP2NA90J69Z |
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FQP2N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.4A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP2N60 |
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FQP2N40J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP2N40J69Z |
0
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FQP2NA90
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 900V, 5.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP2NA90 |
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