Showing 25 of 38 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N40CF
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 600 V, 5.5 A, 2.0 Ω, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | FQP6N40CF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N90C
onsemi
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1 | 6A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3A; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 30nC); Low Crss ( Typ. 11pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP6N90C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N40C
onsemi
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1 | 6A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3A; Low gate charge ( Typ. 16nC); 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 15pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP6N40C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N40C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N40C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N60C
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 600V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 500V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N40CF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N40CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N80C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N80C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N90C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N80
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N80C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N80C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N40CF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N40CF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N25
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N70
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.8A, 800V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N45
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N80J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP6N80J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N50
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 500V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N70
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.2A, 700V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N60J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP6N60J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N70J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP6N70J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||