Showing 11 of 11 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQPF8N60C
onsemi
|
1 | 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 28nC); 7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.75A; Low Crss ( Typ. 12pF) | Transistor Outline, Vertical | FQPF8N60C |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60C
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF8N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CT
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CYDTU
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF8N60CYDTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60C_F105
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF8N60C_F105 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CT_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CT_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CFT
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.26A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CFT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CFT
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.26A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CFT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CYDTU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF8N60CT
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF8N60CT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||