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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4903TF
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 2.8 A, 110 mΩ, SOT-223 | Small Outline Packages | FQS4903TF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901TF
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 5.8nC); 0.45A, 400V, RDS(on) = 4.2Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.225A; Low Crss ( Typ. 5pF); 100% avalanche tested | Small Outline Packages | FQS4901TF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4903TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.37A, 500V, 6.2ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOP-8 | FQS4903TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4901 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4901 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4900TF
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 60V, 0.65ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4900TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4903TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 500V, 6.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4903TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4900
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 60V, 0.65ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4900 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4900
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 60V, 0.65ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4900 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4900TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.3A, 60V, 0.65ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOP-8 | FQS4900TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4901TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4903
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 500V, 6.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4903 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.45A, 400V, 4.2ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOP-8 | FQS4901TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4901TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4901TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4903
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 500V, 6.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4903 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQS4900TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 60V, 0.65ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQS4900TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||