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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N50CTU_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU3N50CTU_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQU3N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FQU3N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N50CTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU3N50CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60CTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU3N60CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60CTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FQU3N60CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU3N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N50C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU3N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60CTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.4A, 600V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, IPAK-3 | FQU3N60CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N50CTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU3N50CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N40TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N40TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N60TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N25TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N25TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N60TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU3N60TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N25 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N30TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU3N30TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU3N40TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 400V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU3N40TU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||