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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N60C
onsemi
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1 | MOSFET QFC 600V 2.5OHM IPAK | Other | FQU5N60C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N40 |
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FQU5N40TU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N40TU |
0
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FQU5N50CTU_WS
onsemi
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1 | Discrete MOSFET, TO-251 3L (IPAK), 30240-RAIL | FQU5N50CTU_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N40TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N40TU |
0
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FQU5N50C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU5N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N50CTU_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQU5N50CTU_WS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU5N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N60CTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU5N60CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N50CTU-WS
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 4 A, 1.4 mΩ, D2PAK, TO-251 3L (IPAK), 5040-TUBE | FQU5N50CTU-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N60CTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU5N60CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N20TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N20TU |
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FQU5N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N15 |
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FQU5N50CTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU5N50CTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N50 |
0
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FQU5N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N20 |
0
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FQU5N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N20L |
0
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FQU5N40TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.4A, 400V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU5N40TU |
0
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FQU5N20LTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N20LTU |
0
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FQU5N30TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N30TU |
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FQU5N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU5N60C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N50TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N50TU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU5N15TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | FQU5N15TU |
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