Showing 25 of 49 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-16V221MH5#5
Elna
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1 | CAP ALUM 220UF 20% 16V RADIAL | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-16V221MH5#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-16V100ME3#5
Elna
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1 | CAP ALUM 10UF 20% 16V RADIAL | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-16V100ME3#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-16V102MJ7#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 1000uF 16V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-16V102MJ7#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-16V471MI6#5
Elna
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1 | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 470uF 16V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-16V471MI6#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-10-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-10-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-10
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-10-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN | FS16VS-10-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-7A-T11
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-7A-T11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-5
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-5-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-5-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-9
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 450V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-10
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-6
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 300V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-6
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 300V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-10
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-6
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 300V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-9
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 450V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-9-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 450V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-9-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-5-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-5-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-5
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-9
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 450V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-5
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-6-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 300V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-6-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-9-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 450V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-9-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS16VS-6-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 300V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS16VS-6-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||