Showing 25 of 69 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FSF254R3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF254R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250D1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSF250D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250D3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF250D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF254D4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSF254D4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FPR010
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.01ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FPR010 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FXR012
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.012ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FXR012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF254D1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF254D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250R4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF250R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FXR013
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.013ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FXR013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSF250D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF2520
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FSF2520 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF250D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250R1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSF250R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF254D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF254D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF254R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF254R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF254R4
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF254R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FPR016
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.016ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FPR016 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FPR013
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.013ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FPR013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF2510
Microtech Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSF2510 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250R3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF250R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FPR015
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.015ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FPR015 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FXR010
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.01ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FXR010 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF25FYR013
Prosperity Dielectrics Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 0.013ohm, 200V, 1% +/-Tol, 0,400ppm/Cel, 2512 | FSF25FYR013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250D4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSF250D4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSF250R3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | FSF250R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||