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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon | FSL23 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23
Surge Components Inc
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon | FSL23 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4D3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0R4
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0D1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0R1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23AOD1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23AOD1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0R3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4R3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0R4
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4R4
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23AOD3
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23AOD3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23AOR1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23AOR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23AOR3
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23AOR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4R3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23S
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon | FSL23S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4D1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4R4
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A0R3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A0R3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4R1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4R1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4D1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSL23A4D1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | FSL23A4D1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||