Showing 25 of 270 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FSS23
Fagor Electrónica
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA | FSS23 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4D1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A0D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A0D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4D1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A0D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A0D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A0R3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A0R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A0R1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A0R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23AOD1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23AOD1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A0R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A0R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4D3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R4
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23AOD3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23AOD3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23AOR3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23AOR3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23HE3TRTB
Fagor Electrónica
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA | FSS23HE3TRTB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A0R1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A0R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23AOR1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23AOR1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23WHE3TRTB
Fagor Electrónica
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon | FSS23WHE3TRTB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4D3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS23A4R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS23A4R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||