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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163R4
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163D1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160D3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R4
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163R1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160D3
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163R3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160D1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163D1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163R4
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163R1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R4
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R4
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163D1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163R3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160D1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160D1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC160R4
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC160R4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC163D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 130V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC163D3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||