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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R3
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160R1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260D1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260D3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9055D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9055D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160R1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160R4
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R4
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R4
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160D1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9055R4
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9055R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160R4
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260D1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R4
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R1
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160R3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260D3
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160D3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9160D3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9160D3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R1
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9260R3
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9260R3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSYC9055R3
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYC9055R3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||