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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-06-T23
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.166ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-06-T23 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-03F-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-03F-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-06
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.166ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASH-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASH-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20AS-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20AS-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20AS-06
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20AS-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-06-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.166ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-06-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20AS-03
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20AS-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASH-03
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASH-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-03
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-03F
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-03F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-06
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.097ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-06
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.166ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-03
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-03
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASH-06
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASH-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX20ASJ-2-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FX20ASJ-2-T13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||