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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard | Diodes Moulded | GB02SLT12-214 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect. | Other | GB02SLT12-252 |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SHT06-46
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | GB02SHT06-46 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SLT12-220
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, | GB02SLT12-220 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SHT03-46
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | GB02SHT03-46 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SHT01-46
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | GB02SHT01-46 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
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0 | GB02SLT12-220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor
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0 | GB02SHT06-46 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SLT12-214
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 2A DO-214; Mounting Style: Surface Mount; Package / Case: DO-214; Packaging: Tape & Reel; Factory Pack Quantity: 2500; Configuration: Single; Repetitive Reverse Voltagen(VRRM): 1200 V; Forward Currentn(IF): 2 A; Forward Voltagen(VF): 1.5 V @ 2 A; Reverse Currentn(IR): 0.2 uA @ 1200 V; Total Capacitive Charge (QC): 8 nC; Capacitancen(C): 127 pF @ 1 V; Reverse Recovery Timen(trr): < 10 ns; Forward Surge Currentn(IFSM): 18 A; Power Dissipationn(PD): 39 W; Switching Speedn(ts): < 10 ns; Minimum Operating Temperature: - 55 °C; Maximum Operating Temperature: 175 °C | GB02SLT12-214 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SLT06-CAL
Micross Components
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, DIE | GB02SLT06-CAL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SMIL12-252
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252AB, PLASTIC, TO-252, 3/2 PIN | GB02SMIL12-252 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor
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0 | GB02SHT03-46 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor
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0 | GB02SHT01-46 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB02SLT12-252
GeneSic Semiconductor Inc
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1 | Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 2A TO-252-2; Mounting Style: Surface Mount; Package / Case: TO-252-2; Packaging: Tape & Reel; Factory Pack Quantity: 2500; Configuration: Single; Repetitive Reverse Voltagen(VRRM): 1200 V; Forward Currentn(IF): 2 A; Forward Voltagen(VF): 1.5 V @ 2 A; Reverse Currentn(IR): 0.2 uA @ 1200 V; Total Capacitive Charge (QC): 8 nC; Capacitancen(C): 127 pF @ 1 V; Reverse Recovery Timen(trr): < 10 ns; Forward Surge Currentn(IFSM): 18 A; Power Dissipationn(PD): 93 W; Switching Speedn(ts): < 10 ns; Minimum Operating Temperature: - 55 °C; Maximum Operating Temperature: 175 °C | GB02SLT12-252 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDSS-10-S-06.00-P01-G-B02-ST2
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 10 Contact(s), 1 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket, | IDSS-10-S-06.00-P01-G-B02-ST2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
90GB02ST
Grayhill Inc
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1 | Slide Dip Switch, 2 Switches, SPST, Latched, 0.1A, 6VDC, Solder Terminal, Through Hole-straight, ROHS COMPLIANT | 90GB02ST |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
76PGB02ST
Grayhill Inc
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1 | Piano Dip Switch, 2 Switches, SPST, Momentary, Solder Terminal, Through Hole-straight, | 76PGB02ST |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
76RGB02ST
Grayhill
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0 | 76RGB02ST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1 | Cable Assembly, 28AWG, | IDSD-02-D-05.00-T-G-B02-S02-W02-R |
0
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Build or Request |