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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T-MR
GaN Systems
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1 | 650V, 22.5A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Top-side cooled | Other | GS66506T-MR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 650V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66506T-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||