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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT25D-12DP-2.2H
Hirose
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1 | Automotive Connectors | Other | GT25D-12DP-2.2H |
3
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GT25D10E-H
Giantec Semiconductor Inc
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0 | NOR Flash以其合适的容量、灵活的存取操作、及其非易失性产品特性,非常适合作为智能设备的指令程序存储器。随着5G、IOT、AMOLED、TDDI、TWS及汽车电子等应用市场快速发展,NOR Flash的需求保持持续的增长动力。特别是在汽车电子、5G基站等需要高可靠性的应用场景,NOR Flash已经成为刚需,其价值不可替代。聚辰半导体以其领先的存储器设计技术,推出SPI NOR Flash产品,可以覆盖从消费级,到工业级,直至汽车级的所有应用,产品在可靠性,功耗,温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。 | GT25D10E-H |
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GT25D20E-H
Giantec Semiconductor Inc
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0 | NOR Flash以其合适的容量、灵活的存取操作、及其非易失性产品特性,非常适合作为智能设备的指令程序存储器。随着5G、IOT、AMOLED、TDDI、TWS及汽车电子等应用市场快速发展,NOR Flash的需求保持持续的增长动力。特别是在汽车电子、5G基站等需要高可靠性的应用场景,NOR Flash已经成为刚需,其价值不可替代。聚辰半导体以其领先的存储器设计技术,推出SPI NOR Flash产品,可以覆盖从消费级,到工业级,直至汽车级的所有应用,产品在可靠性,功耗,温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。 | GT25D20E-H |
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GT25D10E-U
Giantec Semiconductor Inc
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1 | NOR Flash以其合适的容量、灵活的存取操作、及其非易失性产品特性,非常适合作为智能设备的指令程序存储器。随着5G、IOT、AMOLED、TDDI、TWS及汽车电子等应用市场快速发展,NOR Flash的需求保持持续的增长动力。特别是在汽车电子、5G基站等需要高可靠性的应用场景,NOR Flash已经成为刚需,其价值不可替代。聚辰半导体以其领先的存储器设计技术,推出SPI NOR Flash产品,可以覆盖从消费级,到工业级,直至汽车级的所有应用,产品在可靠性,功耗,温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。 | GT25D10E-U |
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GT25D05E-H
Giantec Semiconductor Inc
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0 | NOR Flash以其合适的容量、灵活的存取操作、及其非易失性产品特性,非常适合作为智能设备的指令程序存储器。随着5G、IOT、AMOLED、TDDI、TWS及汽车电子等应用市场快速发展,NOR Flash的需求保持持续的增长动力。特别是在汽车电子、5G基站等需要高可靠性的应用场景,NOR Flash已经成为刚需,其价值不可替代。聚辰半导体以其领先的存储器设计技术,推出SPI NOR Flash产品,可以覆盖从消费级,到工业级,直至汽车级的所有应用,产品在可靠性,功耗,温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。 | GT25D05E-H |
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GT25D20E-U
Giantec Semiconductor Inc
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1 | NOR Flash以其合适的容量、灵活的存取操作、及其非易失性产品特性,非常适合作为智能设备的指令程序存储器。随着5G、IOT、AMOLED、TDDI、TWS及汽车电子等应用市场快速发展,NOR Flash的需求保持持续的增长动力。特别是在汽车电子、5G基站等需要高可靠性的应用场景,NOR Flash已经成为刚需,其价值不可替代。聚辰半导体以其领先的存储器设计技术,推出SPI NOR Flash产品,可以覆盖从消费级,到工业级,直至汽车级的所有应用,产品在可靠性,功耗,温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。 | GT25D20E-U |
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APTGT25DA120D1
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APTGT25DA120D1 |
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APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APTGT25DA120D1G |
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APTGT25DA120D1
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APTGT25DA120D1 |
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