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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004DSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004DSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004DS
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004DL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004DL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005DS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004D(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005D(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005DL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005DL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005D(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005D(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004D(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004DL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004D(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005DL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005DS-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005DS-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2008P-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2008P-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2007FN-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H5N2007FN-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005D(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2005DSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2005DSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004D(L)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004D(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2003P-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2003P-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004D(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2001LD-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2001LD-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004DL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004D(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004D(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2001LMTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2001LMTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2004DS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2004DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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