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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2521FN-E-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2521FN-E-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508D(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508D(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508DL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508DL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2501LSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2501LSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2522FN-E#T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel MOSFET High Speed Power Switching, TO-220FN, /Tube | H5N2522FN-E#T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504D(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505D(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508DS
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508DL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2507P
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2507P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505D(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508D(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504D(L)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504D(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504D(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505DL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.89ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2512CF-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2512CF-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2507P-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2507P-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2509P
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2509P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508DS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2522FN-E-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2522FN-E-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2501LM
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2501LM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505D(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508D(L)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508D(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2515P-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 250V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2515P-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504D(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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