Showing 25 of 108 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT-30+
Mini-Circuits
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | HAT-30+ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT-30A+
Mini-Circuits
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | HAT-30A+ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3004R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 0.15ohm, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT3004R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3004REL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3004REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3021R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 80V, 0.145ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3021R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3006R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3006R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3004REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3004REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3008RJ
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.084ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT3008RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3008RJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.084ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT3008RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3015T-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3015T-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3010R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3010R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3004R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT3004R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3010R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3010R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3036R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 30V, 0.089ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3036R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3006REL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3006REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3006R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.18ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3006R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3015R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3015R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3038R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | HAT3038R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3037R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 45V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3037R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3006R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3006R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3010R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3010R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3008R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.084ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT3008R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3019R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | HAT3019R-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3004R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3004R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT3018R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT3018R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||