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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1
Renesas Electronics
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1 | 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs | Transistor Outline, Vertical | HGTD6N40E1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA | HGTD6N40E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1S9A
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N50E1S9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1S
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N50E1S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N120B3S
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N120B3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N120B3
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA | HGTD6N120B3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N50E1S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1S
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel | HGTD6N40E1S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1S
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N40E1S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1S
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA | HGTD6N40E1S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1S9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N50E1S9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA | HGTD6N50E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1S
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N50E1S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N120B3S
Intersil Corporation
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1 | 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA | HGTD6N120B3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1S9A
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | HGTD6N50E1S9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel | HGTD6N40E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA | HGTD6N50E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA | HGTD6N50E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N50E1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA | HGTD6N50E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N40E1
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA | HGTD6N40E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTD6N120B3
Intersil Corporation
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1 | 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA | HGTD6N120B3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||