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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTG20N60B3D
onsemi
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1 | Low Conduction Loss; 40A, 600V at TC = 25°C ; Typical Fall Time: 140ns at 150°C ; Short Circuit Rated ; Hyperfast Anti-Parallel Diode | Transistor Outline, Vertical | HGTG20N60B3D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTG20N60B3D
Rochester Electronics
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1 | IGBT 600 V 40 A 165 W Through Hole TO-247-3 | Transistor Outline, Vertical | HGTG20N60B3D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTG20N60B3D
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG20N60B3D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTG20N60B3D
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG20N60B3D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTG20N60B3D
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG20N60B3D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGTG20N60B3D_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG20N60B3D_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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