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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HM9264BLFP-10L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 | HM9264BLFP-10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HM9264BLFP-10L
Hitachi Ltd
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1 | Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 | HM9264BLFP-10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HM9264BLP-8L
Hitachi Ltd
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1 | Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDIP28 | HM9264BLP-8L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HM9264BLFP-8L
Hitachi Ltd
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1 | Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDSO28 | HM9264BLFP-8L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HM9264BLP-10L
Hitachi Ltd
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1 | Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 | HM9264BLP-10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9260PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9260PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9260PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9260PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||