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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA200N04S5N010
Infineon
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1 | OptiMOS™ 5 Power-Transistor N-channel – Enhancement mode – Normal Level | Other | IAUA200N04S5N010 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N006
Infineon
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1 | 40V, N-Ch, 0.6 mΩ max, Automotive MOSFET, sTOLL, OptiMOS™-6 | Other | IAUA250N04S6N006 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF | Other | IAUA200N04S5N010AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N08S5N018
Infineon
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1 | OptiMOS™-5 Power-Transistor | Other | IAUA250N08S5N018 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N005AUMA1
Infineon
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1 | Automotive MOSFET N-channel – Enhancement mode – Normal Level | Other | IAUA250N04S6N005AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N007AUMA1
Infineon
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1 | Power MOSFET, N Channel, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Surface Mount | Other | IAUA250N04S6N007AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA210N10S5N024AUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 210A (Tj) 238W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4 | Other | IAUA210N10S5N024AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N007EAUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 40 V 435A (Tj) 250W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4 | Other | IAUA250N04S6N007EAUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N008AUMA1
Infineon
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1 | Automotive MOSFET N-channel OptiMOS™ 6 Power-Transistor VDS= 40V, RDS(on),max= 0.8mΩ, ID (chip limited)= 340A, PG-HSOF-5-1 | Other | IAUA250N04S6N008AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N006AUMA1
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | Other | IAUA250N04S6N006AUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA200N04S5N010ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA200N04S5N010ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N008
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 40V, 0.00096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA250N04S6N008 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA220N08S5N021
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA220N08S5N021 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N007E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 40V, 0.00083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA250N04S6N007E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA210N10S5N024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 100V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA210N10S5N024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 40V, 0.0007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA250N04S6N005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUA250N04S6N007
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 40V, 0.0008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUA250N04S6N007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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