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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGB110S10S1XTMA1
Infineon
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1 | GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm | Other | IGB110S10S1XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGB110S101XTMA1
Infineon
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1 | GaN FETs MV GAN DISCRETES | Other | IGB110S101XTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGB110S10S1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGB110S10S1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGB110S101
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGB110S101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGB110S10S1Q
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IGB110S10S1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||