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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR65R140D2XUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 13A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-8 | Other | IGLR65R140D2XUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R340D1XUMA1
Infineon
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1 | MOSFET | Other | IGLR60R340D1XUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR65R270D2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 650V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGLR65R270D2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R190D1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 800V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGLR60R190D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R340D1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 800V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGLR60R340D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR65R200D2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 650V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGLR65R200D2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR65R140D2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGLR65R140D2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R260D1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGLR60R260D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R190D1XUMA1
Infineon
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1 | MOSFET | IGLR60R190D1XUMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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