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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGT40R070D1E8220ATMA1
Infineon
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1 | Bipolar Transistors - BJT GAN HV | Other | IGT40R070D1E8220ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGT40R070D1E8220
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGT40R070D1E8220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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