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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG75R025M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 840 V 70A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 , 840 V , 15V, 22mOhm , -55°C ~ 175°C | Other | IMBG75R025M2HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R033M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 50A (Tc) 189W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 , -55 °C ~ +175 °C (TJ) | Other | AIMBG75R033M2HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R007M2HXTMA1
Infineon
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1 | SiC MOSFETs N-Channel CoolSiC Automotive Power Device 750V G2 , 9 mOhms , 198A , 651W , -55°C ~ +175°C | Other | AIMBG75R007M2HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R060M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 34A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 | Other | AIMBG75R060M1HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R016M1HXTMA1
Infineon
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1 | Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK) | Other | AIMBG75R016M1HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R016M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 750V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R016M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R040M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 750V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R040M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R027M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 750V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R027M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R020M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 750V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R020M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R140M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 750V, 0.182ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R140M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R060M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 750V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R060M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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