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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMDQ65R007M2H
Infineon
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1 | Ultra‑low switching losses, 4.5 V, SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | Small Outline Packages | IMDQ65R007M2H |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMDQ65R007M2HXUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 196A (Tc) 937W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 , 650 V , 15V, 20V , 6359 pF , -55°C ~ 175°C (TJ) , | Other | IMDQ65R007M2HXUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMDQ65R015M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IMDQ65R015M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMDQ65R020M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IMDQ65R020M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMDQ65R010M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IMDQ65R010M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in Q-DPAK top-side cooling package, 10 mΩ | IMDQ65R010M2HXUMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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