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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R015M2H
Infineon
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1 | • Ultra‑low switching losses• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V• Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn‑off gate voltage• Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme• Robust body diode operation under hard commutation events• .XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance | Other | IMLT65R015M2H |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon
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1 | SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling | Other | IMLT65R033M2HXTMA1 |
2
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IMLT65R020M2HXTMA1
Infineon
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1 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET N-CHANNEL | Other | IMLT65R020M2HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R015M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 142A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-6 | Other | IMLT65R015M2HXTMA1 |
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IMLT65R060M2HXTMA1
Infineon
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1 | SILICON CARBIDE MOSFET N-Channel, 650 V, 60 mOhms | Other | IMLT65R060M2HXTMA1 |
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IMLT65R060M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 0.073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | IMLT65R060M2H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R033M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET | IMLT65R033M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R020M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 107A I(D), 650V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | IMLT65R020M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R040M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 650V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | IMLT65R040M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R050M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 650V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | IMLT65R050M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMLT65R026M2HXTMA1
Infineon
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1 | SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling | IMLT65R026M2HXTMA1 |
1
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