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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R1K4CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K4CEXKSA1 |
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IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R600P7XKSA1 |
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IPA80R1K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K0CE |
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IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R450P7XKSA1 |
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IPA80R460CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 800V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R460CEXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 800V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R460CEXKSA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R310CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.7A I(D), 800V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R310CEXKSA1 |
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IPA80R450P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R450P7 |
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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R280P7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R650CEXKSA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R460CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 800V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R460CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R900P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R900P7 |
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IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K0CEXKSA2 |
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IPA80R360P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R360P7 |
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IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K4P7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R360P7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R650CEXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.7A I(D), 800V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R310CEXKSA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K4CEXKSA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R900P7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R750P7XKSA1 |
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IPA80R310CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.7A I(D), 800V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R310CE |
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IPA80R1K2P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K2P7 |
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IPA80R600P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R600P7 |
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IPA80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K2P7XKSA1 |
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