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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon
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1 | N-channel 600 V 8A (Tj) 25W (Tc) Hole mounting PG-TO220 Full Pack | Transistor Outline, Vertical | IPAN60R180CM8XKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R360PFD7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R360PFD7S |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R800CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R800CEXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R360P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R360P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R650CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R650CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R600P7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R125PFD7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R125PFD7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R360P7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R210PFD7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN65R650CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN65R650CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R280PFD7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R280PFD7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R180P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R180P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R280P7SXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R180P7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R280P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R280P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN65R650CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN65R650CEXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R800CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R800CE |
0
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IPAN60R600P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R600P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPAN60R210PFD7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R210PFD7S |
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IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPAN60R650CEXKSA1 |
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IPAN60R280PFD7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
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