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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB072N15N3 G
Infineon
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1 | Infineon IPB072N15N3 G N-channel MOSFET, 100 A, 150 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK | Other | IPB072N15N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB072N15N3GATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IPB072N15N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB072N15N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB072N15N3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB072N15N3GE8187
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB072N15N3GE8187 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB072N15N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB072N15N3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||