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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB160N04S203ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S203ATMA1 |
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IPB160N04S203XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S203XT |
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IPB160N04S2L03XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S2L03XT |
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IPB160N08S4-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N08S4-03 |
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IPB160N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S2L03ATMA2 |
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IPB160N04S203ATMA4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S203ATMA4 |
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IPB160N04S4H1ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S4H1ATMA1 |
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IPB160N04S3H2ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S3H2ATMA1 |
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IPB160N04S402DXTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S402DXTMA1 |
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IPB160N04S2L-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S2L-03 |
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IPB160N04S2-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S2-03 |
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IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S4LH1ATMA1 |
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IPB16CN10NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB16CN10NG |
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IPB160N04S3-H2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S3-H2 |
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IPB16CNE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 85V, 0.0162ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB16CNE8NG |
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IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N08S403ATMA1 |
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IPB16CNE8NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 85V, 0.0162ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB16CNE8NGATMA1 |
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IPB16CN10NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB16CN10NGATMA1 |
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IPB16CN10NGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB16CN10NGXT |
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IPB160N04S4-02D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S4-02D |
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IPB160N04S4-H1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S4-H1 |
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IPB160N04S4L-H1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S4L-H1 |
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IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB160N04S2L03ATMA1 |
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