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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90R340C3ATMA2
Infineon
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1 | Power MOSFET Transistor | Other | IPB90R340C3ATMA2 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90R340C3
Infineon
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1 | Infineon IPB90R340C3 N-channel MOSFET Transistor, 15 A, 900 V, 3+Tab-Pin TO-263 | Other | IPB90R340C3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90R340C3ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90R340C3ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N06S4L04ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N06S4L04ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N06S404ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N06S404ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N04S402XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N04S402XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N06S4-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N06S4-04 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N06S404ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N06S404ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N04S4-02
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N04S4-02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N06S4L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N06S4L-04 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N06S4L04ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB90N04S402ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB90N04S402ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||