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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD075N03LGATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 | Other | IPD075N03LGATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD079N06L3 G
Infineon
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1 | IPD079N06L3 G N-Channel MOSFET Transistor, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon | Other | IPD079N06L3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD07N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD07N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD075N03LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD075N03LGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD075N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD075N03LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD079N06L3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD079N06L3GBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD075N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD075N03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD079N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD079N06L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD075N03LGHF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD075N03LGHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD079N06L3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET | IPD079N06L3GATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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