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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD096N08N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | IPD096N08N3GATMA1 |
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IPD09N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD09N03L |
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IPD096N08N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 80V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD096N08N3GXT |
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IPD090N03LGHF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD090N03LGHF |
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IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD090N03LGATMA1 |
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IPD090N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD090N03LG |
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IPD090N03LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD090N03LGBTMA1 |
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IPD096N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 80V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD096N08N3G |
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IPD09N03LBG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD09N03LBG |
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IPD090N03LGE8177
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD090N03LGE8177 |
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IPD096N08N3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 80V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD096N08N3GBTMA1 |
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IPD09N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0148ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD09N03LA |
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IPD09N03LAGBUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0148ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD09N03LAGBUMA1 |
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IPD09N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0148ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD09N03LAG |
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IPD090N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD090N03LGXT |
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