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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD220N06L3GBTMA1
Infineon
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1 | IPD220N06L3GBTMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V OptiMOS 3, 3-Pin DPAK Infineon | Other | IPD220N06L3GBTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD220N06L3GATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311 | Other | IPD220N06L3GATMA1 |
3
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IPD220N06L3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-channel OptiMOS-3 60V 30A TO252 Infineon IPD220N06L3 G N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 60 V, 3+Tab-Pin TO-252 | Other | IPD220N06L3 G |
2
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IPD220N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD220N06L3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD220N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD220N06L3GXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 75V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD22N08S2L-50 |
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IPD22N08S2L50ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 75V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD22N08S2L50ATMA1 |
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93LC66B-I/PD22
Microchip Technology Inc
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1 | EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8 | 93LC66B-I/PD22 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||