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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF021N13NM6ATMA1
Infineon
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1 | Opti MOSTM6Power-Transistor,135V 175°Coperatingtemperature | Other | IPF021N13NM6ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF026N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 150 V 25A (Ta), 239A (Tc) 3.8W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3x | Other | IPF026N15NM6ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF024N10NF2SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 227A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-14 | Other | IPF024N10NF2SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF024N10NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET, TO-263 | IPF024N10NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF023N08NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 80V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPF023N08NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||