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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI029N06NAKSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3 | Transistor Outline, Vertical | IPI029N06NAKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI029N06N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI029N06N |
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IPI023NE7N3GXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI023NE7N3GXK |
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IPI024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI024N06N3GHKSA1 |
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IPI023NE7N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI023NE7N3G |
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IPI020N06NAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI020N06NAKSA1 |
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IPI020N06N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI020N06N |
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IPI024N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI024N06N3G |
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IPI024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI024N06N3GXKSA1 |
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IPI023NE7N3GAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI023NE7N3GAKSA1 |
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IPI028N08N3GHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI028N08N3GHKSA1 |
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IPI028N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI028N08N3G |
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