Showing 25 of 29 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPI100N08S207AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AB | IPI100N08S207AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N08N3GXKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S403DXKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S403DXKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S303AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S3-04
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N06S3-04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N12S305AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N12S305AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N10S305AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N10S305AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N10S3-05
Rochester Electronics LLC
|
1 | 100A, 100V, 0.0051ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | IPI100N10S3-05 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S4-H2M
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IPI100N04S4-H2M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S3-03
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N06S3-03 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N08S2-07
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AB | IPI100N08S2-07 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S3-03
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S3-03 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S4H2XK
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S4H2XK |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100P03P3L-04
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100P03P3L-04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S4-03D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S4-03D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S4-H2
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S4-H2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S303AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N06S303AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S3L03AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N06S3L03AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N04S4H2AKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S3L-04
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N06S3L-04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S3L-03
Rochester Electronics LLC
|
1 | 100A, 55V, 0.0046ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, GREEN, TO-262, 3 PIN | IPI100N06S3L-03 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N06S3L-03
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N06S3L-03 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N12S3-05
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N12S3-05 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N08N3G
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N08N3G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IPI100N08N3GHKSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI100N08N3GHKSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||