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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI110N20N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3 | Transistor Outline, Vertical | IPI110N20N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI111N15N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI111N15N3G |
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IPI110N20N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI110N20N3G |
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IPI111N15N3GAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI111N15N3GAKSA1 |
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IPI110N20N3GAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI110N20N3GAKSA1 |
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IPI11N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI11N03LA |
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