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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI80N06S4L07AKSA2
Infineon
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1 | Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 ,-55+175 °C | Other | IPI80N06S4L07AKSA2 |
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IPI80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P04P4L04AKSA1 |
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IPI80P04P4L04XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P04P4L04XK |
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IPI80N04S204XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N04S204XK |
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IPI80N04S4-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N04S4-04 |
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IPI80N06S3L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N06S3L-06 |
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IPI80N06S2L11AKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N06S2L11AKSA2 |
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IPI80N04S2-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N04S2-04 |
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IPI80N06S4L-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N06S4L-05 |
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IPI80N04S303AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N04S303AKSA1 |
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IPI80N06S3L08AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N06S3L08AKSA1 |
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IPI80P03P3L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AB | IPI80P03P3L-04 |
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IPI80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P03P4L07AKSA1 |
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IPI80N06S407AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N06S407AKSA1 |
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IPI80N04S303XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N04S303XK |
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IPI80N03S4L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N03S4L-04 |
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IPI80N03S4L-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N03S4L-03 |
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IPI80P04P4L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P04P4L-06 |
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IPI80N04S3H4XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N04S3H4XK |
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IPI80N04S2-H4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPI80N04S2-H4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI80N07S4-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N07S4-05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPI80P03P4L04XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P03P4L04XK |
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IPI80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPI80P04P4L08AKSA1 |
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IPI80P03P4L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P03P4L-07 |
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IPI80N07S405AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80N07S405AKSA1 |
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