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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP26CN10NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP26CN10NG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP26CNE8NGHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 85V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP26CNE8NGHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP26CN10NGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP26CN10NGXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP260N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP260N06N3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP260N06N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP260N06N3GXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP260N06N3GHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP260N06N3GHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP26CNE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 85V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP26CNE8NG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP26CN10NGHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP26CN10NGHKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F200-H43-DDIPP-26
SunLight
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1 | Board Connector, 26 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Terminal, Plug | F200-H43-DDIPP-26 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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