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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R010S7AXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 50A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 | Other | IPQC60R010S7AXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60T017S7AXTMA1
Infineon
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1 | MOSFETs Y AUTOMOTIVE_COOLMOS - 20 V, + 20 V,113 A | Other | IPQC60T017S7AXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60T022S7AXTMA1
Infineon
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1 | Power MOSFET, N Channel, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Surface Mount | Other | IPQC60T022S7AXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R010S7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60R010S7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R017S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60R017S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R010S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60R010S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC65R017CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 136A I(D), 650V, 0.017ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC65R017CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC65R125CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC65R125CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60T017S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 113A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60T017S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R040S7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60R040S7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60T040S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60T040S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC65R040CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 650V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC65R040CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R017S7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60R017S7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60T022S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 600V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60T022S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R040S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPQC60R040S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPQC60R010S7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 50A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 | IPQC60R010S7XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||