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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R1K4CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R950CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | IPSA70R950CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R950CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R950CEAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R360P7SAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R750P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R750P7SAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R600P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R600P7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R900P7SAKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R900P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R900P7S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R600CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | IPSA70R600CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R1K4P7SAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R600P7SAKMA1 |
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IPSA70R1K2P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R1K2P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R1K4P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R1K4P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R750P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R750P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R450P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R450P7SAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R2K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | IPSA70R2K0CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R450P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R450P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R2K0CEAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R600CEAKMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R360P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R360P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R2K0P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R2K0P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R1K4CEAKMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
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